隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM儲存器逐漸呈現出高整合度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體儲存器的發展中，

SRAM

由於其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。

隨機儲存器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作，但當電源斷開時，儲存資訊便會消失。SRAM的資料儲存方式是依靠一對反相器以閉環形式連線的儲存電路，它的程式碼的讀出是非破壞性的，並不需要相應的重新整理電路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的電晶體來儲存一位的資訊（採用六管單元或四管兩電阻單元儲存一位資料），因而其位密度比其它型別的低，造價也高。靜態儲存器多用於二級快取記憶體。

介紹一款偉凌創芯（EMI）1Mbit國產非同步低功耗SRAM晶片

EMI501HB08PM-55I

，該產品採用EMI先進的全CMOS工藝技術製造。支援工業溫度範圍-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I採用32SOP晶片級封裝，電源電壓為4。5V~5。5V，以實現系統的使用者靈活性設計。還支援低資料保留電壓，用於以低資料保留電流進行電池備份操作。

特徵

●工藝技術：90nm Full CMOS

●組織：128KX8bit

●電源電壓：4。5V~5。5V

●三態輸出，TTL相容

●標準32SOP

●工業操作溫度