最近因為華為事件，中國晶片產業被炒得沸沸揚揚，但是喧囂的下面必須要要冷靜分析，制定合理的計劃，踏踏實實的從基本做起，從產業需要的基本技術技能培訓做起，從大學科研院所基本技術和前沿技術融會貫通做起，從產業上中下游相互配合做起，然後迎頭趕上。

絕不是一味地投錢，也不是一味地建生產基地，更不是資本市場的一味炒作！

本文淺談一下晶片製造的難點

1、 製程要求高。一個完整的製程大約2000步驟（並非嚴格上的工序），這就要求幾乎每個製程的直通率到達或者接近100%，最終RTY（所有制程直通率的乘積）才可能達到一定的量產目標。這就是為什麼晶片行業經常提到一個良品率的問題，因為任何一道工序稍有失誤就可能導致大量的晶片報廢。並且很多工藝都是沒有挽救餘地的，中間只要有一個工藝發生偏差就只能報廢處理，還有很多時候很小的偏差只有等到晶片製造完成進行電效能測試的時候才能發現，這樣造成的損失就更加龐大。

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2、 參與的技術人員多，且技能要求高。因為涉及到非常多的製程和技術，就需要一個龐大的，訓練有素的技術團隊一絲不苟的通力合作，並且還要有領軍人物坐鎮才能取得一定的成績。梁孟松的技術團隊就是一個很好的例子。

3、 裝置精度要求極高。光刻機是製造晶片的必不可少的裝置，而目前7奈米一下製程的晶片，都必須用到阿斯麥（ASML）公司最先進的光刻機。目前臺積電、三星和英特爾因為擁有阿斯麥最先進的光刻機，因此理論上是可以製造出7奈米以下的製程的晶片。

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4、 大量資金的投入。由於製程多，技術要求嚴格，需要頂級的設計開發人員和高精密裝置，因此，需要大量資金做後盾。據報道，3nm晶片的設計費用約達5-15億美元，而興建一條3nm產線的成本約為150-200億美元，這是最基本的費用了，也就是至少是150億美元起。這並不是一個理論資料，按照媒體的報道，2年前臺積電計劃啟動3nm工藝之後，至目前已經至少投了6000億新臺幣進去了，摺合近200億美元。而三星為了進入3nm工藝，投的錢一點都不比臺積電少，從單這一點來看，很多的晶片製造企業就沒有這個實力。

最後，希望我們各方面的努力，研發出新的工藝和技術，實現彎道超車，實現對晶片製造最先進的臺積電的超越！