隨著中國“芯”計劃的確立，國家出臺了各項政策扶持國內的半導體產業發展，第三代半導體的研製，國產化十新基建，引爆晶片強勁需求，展示晶片很強動力和潛力。半導體晶片的生產環境及裝置的要求是極高的，就半導體晶片潔淨區的環境要求有哪些？合景

淨化工程公司

為您剖析解決方案如下：

一、半導體晶片生產環境的要求

由於電子產品在製造、生產過程中對室內空氣環境和品質的要求極為嚴格，主要以控制微粒和浮塵為主要物件，同時還對其環境的溫溼度、新鮮空氣量、噪聲等作出了嚴格的規定。

1、室內的噪聲級（空態）：不應大於65dB（A）

2、垂直流潔淨室滿布比不應小於60%，水平單向流潔淨室不應小於40%，否則就是區域性單向流了。

3、與室外的靜壓差不應小於10Pa，不同空氣潔淨度的潔淨區與非潔淨區之間的靜壓差不應小於5Pa。

4、潔淨室內的新鮮空氣量應取下列二項中的最大值：

5、補償室內排風量和保持室內正壓值所需的新鮮空氣量之和。

6、保證供給潔淨室內每人每小時的新鮮空氣量不小於40m3。

7、淨化空調系統加熱器，應設定新風，超溫斷電保護，若採用點加溼時應設定無水保護，寒冷地區，新風系統應設定防凍保護措施。無塵室的送風量。

二、複雜設計施工與高建造費用

電子晶片潔淨車間有著嚴格的潔淨度要求，可想而知，其設計施工也是相當複雜的。此外，潔淨度越高，建造費用也越高。例如100級（FS 209）單向流潔淨室，僅室內裝修與空調潔淨系統的建造費用為10000元/㎡。再加上消防、三廢、供配電和自控系統，建造費用更是高達25000元-30000元/㎡。

當完成

電子晶片潔淨車間

的建造後，還要經過3方面的驗收，即：空態驗收、靜態驗收、動態驗收，只有完成驗收才能投入日常使用。因此，面臨巨大的技術風險，以及後續執行、維護和除錯、檢測的壓力。

三、半導體晶片溫溼度控制

半導體

（FAB）潔淨室中相對溼度的目標值大約控制在30至50%的範圍內，允許誤差在±1%的狹窄的範圍內，例如光刻區──或者在遠紫外線處理（DUV）區甚至更小──而在其他地方則可以放鬆到±5%的範圍內。

因為相對溼度有一系列可能使潔淨室總體表現下降的因素，其中包括：

1。細菌生長；

2。工作人員感到室溫舒適的範圍；

3。出現靜電荷；

4。金屬腐蝕；

5。水汽冷凝；

6。光刻的退化；

7。吸水性。

細菌和其他生物汙染（黴菌，病毒，真菌，蟎蟲）在相對溼度超過60%的環境中可以活躍地繁殖。一些菌群在相對溼度超過30%時就可以增長。合景淨化工程公司認為，應將溼度控制在處於40%至60%的範圍之間時，可以使細菌的影響以及呼吸道感染降至最低。

相對溼度在40%至60%的範圍同樣也是人類感覺舒適的適度範圍。溼度過高會使人覺得氣悶，而溼度低於30%則會讓人感覺乾燥，面板皸裂，呼吸道不適以及情感上的不快。

高溼度實際上減小了潔淨室表面的靜電荷積累──這是人們希望的結果。較低的溼度比較適合電荷的積累併成為潛在的具有破壞性的靜電釋放源。當相對溼度超過50%時，靜電荷開始迅速消散，但是當相對溼度小於30%時，它們可以在絕緣體或者未接地的表面上持續存在很長一段時間。

相對溼度在35%到40%之間可以作為一個令人滿意的折中，半導體潔淨室一般都使用額外的控制裝置以限制靜電荷的積累。

很多化學反應的速度，包括腐蝕過程，將隨著相對溼度的增高而加快。所有暴露在潔淨室周圍空氣中的表面都很快地被覆蓋上至少一層單分子層的水。當這些表面是由可以與水反應的薄金屬塗層組成時，高溼度可以使反應加速。幸運的是，一些金屬，例如鋁，可以與水形成一層

保護型

的氧化物，並阻止進一步的氧化反應；但另一種情況是，例如氧化銅，是不具有保護能力的，因此，在高溼度的環境中，銅製表面更容易受到腐蝕。

此外，在高的相對溼度環境下，由於水分的吸收，使烘烤迴圈後光刻膠膨脹加重。光刻膠附著力同樣也可以受到較高的相對溼度的負面影響；較低的相對溼度（約30%）使光刻膠附著更加容易，甚至不需要聚合改性劑。

在半導體潔淨室中控制相對溼度不是隨意的。但是，隨著時間的變化，最好回顧一下常見的被普遍接受的實踐的原因和基礎。

潔淨室行業壁壘高，下游客戶要求極其嚴格。IC 半導體、光電類產品製造商一次性建廠投資較高，其生產條件要求非常嚴格，任何一個小瑕疵會影響晶片和麵板的良率，對潔淨室的穩定性要求非常高。東莞市合景實業發展有限公司-合景淨化工程公司在

光學電子潔淨廠房

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