1月18日，深圳青銅劍科技股份有限公司投資的“青銅劍第三代半導體產業基地”奠基儀式在深圳坪山隆重舉行，標誌著青銅劍集團發展邁入新階段。

青銅劍科技集團及旗下基本半導體、青銅劍技術、青銅劍能源科技、英博國際創新、中歐創新中心等公司負責人出席儀式，共同見證這一重要時刻。

據介紹，青銅劍第三代半導體產業基地是深圳市2020年重大專案，位於坪山區丹梓大道與光科三路交匯處西南角，佔地8073。79平方米，總建築面積近5萬平方米，預計2022年底完工。

該基地將作為青銅劍科技集團總部，同時建設第三代半導體研發中心、車規級碳化矽功率器件封裝線和中歐創新中心孵化器等，最終形成國內領先的具備全產業鏈研發和生產製造能力的第三代半導體產業基地。

青銅劍第三代半導體產業基地效果圖

圖片來源：青銅劍

資料顯示，青銅劍科技由清華大學和劍橋大學博士團隊創立於2009年，是一家IGBT驅動技術和電量感測技術企業，總部位於深圳高新區，在北京、上海、南京、青島設有子公司。

公司曾成功研發中國首款大功率IGBT驅動ASIC晶片，推出IGBT標準驅動核、即插即用型驅動器、碳化矽驅動器等全系列產品，以及新能源汽車電驅功率模組、光伏風電多並聯整合驅動等解決方案。

產品透過UL、ISO9001、IATF16949等認證，廣泛應用於新能源、電動汽車、智慧電網、軌道交通、工業控制、國防軍工等多個領域，是中國中車、中船重工、國家電網、陽光電源、金風科技、特變電工等三百多家知名企業的核心零部件供應商，並與英飛凌、富士電機、三菱電機等國際知名企業建立了戰略合作關係。

值得注意的是，青銅劍科技控股（持股約35。76%）的深圳基本半導體有限公司（以下簡稱“基本半導體”）也是國內第三代半導體行業領軍企業，專業從事碳化矽功率器件的研發與產業化。

基本半導體掌握了碳化矽的核心技術，研發覆蓋碳化矽功率器件的材料製備、晶片設計、製造工藝、封裝測試、驅動應用等產業全鏈條，先後推出全電流電壓等級碳化矽肖特基二極體、透過工業級可靠性測試的1200V碳化矽MOSFET、車規級全碳化矽功率模組等系列產品，效能達到國際先進水平，應用於新能源、電動汽車、智慧電網、軌道交通、工業控制、國防軍工等領域。

2020年12月31日，基本半導體完成了數億元人民幣的B輪融資，該輪融資由聞泰科技領投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚等機構跟投，原股東力合資本追加投資。本輪融資基於基本半導體發展戰略規劃，引入了對第三代半導體研發、製造和市場環節具有重要價值的戰略投資方。所融資金將主要用於加強碳化矽器件的核心技術研發、重點市場拓展和製造基地建設，並特別加強對車規級碳化矽功率模組的研發和量產鋪設。