《炬豐科技-半導體工藝》改善刻蝕均勻性的技術2021-09-01 TAG: 柵極介電蝕刻間隔氮化物書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:改善刻蝕均勻性的技術編號:JFKJ-21-338作者:炬豐科技摘要一種形成介電間隔物的方法,包括提供襯底,該襯底包括具有第一多個柵極結構的第一區域和具有第二多個柵極結構的第二區域和至少一種含氧化物材料或含... [ 檢視更多... ]