Si基GaN外延技術是實現大面積、低成本GaN外延片的主要技術，相對於GaN-on-Si而言，GaN-on-SOI技術在材料、整合與成本方面均具有顯著優勢。

2021年9月13-14日“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京召開。會議圍繞碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。

會上，中國科學院上海微系統與資訊科技研究所研究員程新紅將帶來“SOI基GaN材料及功率器件整合技術”的精彩報告，其中，將詳細分享最新的成果，以及該技術優勢的實現方式等內容，值得期待。

更多詳細報告內容，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。

【嘉賓簡介】

中科院上海微系統所程新紅研究員

程新紅，中國科學院上海微系統與資訊科技研究所研究員，九三學社上海微系統所支社主委。1992年畢業於吉林大學物理系獲得學士學位，1997年畢業於中科院金屬研究所獲得碩士學位，2005年畢業於中科院上海微系統與資訊科技研究所獲得博士學位。主要從事功率技術開發以及汽車電子專用晶片研發。

針對寬禁帶半導體功率器件GaN HEMT開展系列工作，尤其側重HEMT器件介面高介電常數介質生長和鈍化、以及電流崩塌效應抑制；開發出1700 V SiC RG-MOS和1200 V SiC JBS器件；針對汽車電子通訊介面晶片CAN\LIN，以及電動汽車用電池監控晶片（BMS）開展研發工作，力爭實現關鍵晶片國產化；與無錫華潤上華半導體公司（CSMC）合作開發薄膜SOI功率器件結構和工藝，技術轉移到CSMC形成0。5 μm 薄膜 SOI高壓 BCD技術平臺，成功研製出600V SOI高壓器件LDMOS/LIGBT，器件開態電阻和擊穿電壓達到了SOI BCD 技術始祖NXP公司的同類產品水平，基於這套SOI BCD技術，客戶已經開發LED驅動等電路，並且實現量產。

作為專案負責人承擔國家科技重大專項、國家自然基金面上專案、中科院專案、上海市科技創新專案等，在IEEE Transactions on Power Electronics， IEEE Transactions on Electron Devices和IEEE Electron Devices等期刊上發表60餘篇學術論文，授權30餘項國內發明專利，3項PCT專利。

會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與程新紅研究員多多交流