集微網訊息，6月28日，上交所正式受理了拓荊科技股份有限公司（以下簡稱：拓荊科技）科創板上市申請。

拓荊科技主要從事高階半導體專用裝置的研發、生產、銷售和技術服務。公司聚焦的半導體薄膜沉積裝置與光刻機、刻蝕機共同構成晶片製造三大主裝置。

拓荊科技是國內唯一一家產業化應用的積體電路PECVD、SACVD裝置廠商，以前後兩任董事長為核心的五名國家級海外高層次專家組建起一支國際化的技術團隊，形成了包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）裝置、原子層沉積（ALD）裝置和次常壓化學氣相沉積（SACVD）裝置三個產品系列，已廣泛應用於國內晶圓廠14nm及以上製程積體電路製造產線，並已展開10nm及以下製程產品驗證測試。

拓荊科技產品已廣泛用於中芯國際、華虹集團、長江儲存、長鑫儲存、廈門聯芯、燕東微電子等國內主流晶圓廠產線，累計發貨超150套機臺。公司憑藉長期技術研發和工藝積累，打破國際廠商對國內市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。報告期內，公司在研產品已發往某國際領先晶圓廠參與其先進製程工藝研發。

營收大幅增長，淨利潤持續虧損

2018年至2021年第一季度，拓荊科技實現營業收入分別為7，064。40 萬元、 25，125。15 萬元、43，562。77 萬元和 5，774。10 萬元；同期淨利潤分別為-10，322。29萬元、-1，936。64萬元、-1，169。99萬元及-1，058。92萬元，扣除非經常性損益後歸屬於母公司所有者的淨利潤分別為-14，993。05萬元、-6，246。63萬元、-5，711。62萬元和-2，400。90萬元。

拓荊科技表示，報告期內尚未實現盈利，主要由於半導體裝置行業技術含量高，研發投入大，產品驗證週期長，公司持續進行了大量的研發投入。

報告期內，拓荊科技研發費用分別為10，797。31萬元、7，431。87萬元、12，278。18萬元和2，714。86萬元，佔各期營業收入的比例為152。84%、29。58%、28。19%和47。02%。

拓荊科技指出，2018年度研發投入佔營業收入比例超過100%系營業收入較小所致。

截至本招股說明書籤署日，拓荊科技已獲授權專利 167 項，其中 國內 150 項，包含發明專利 69 項、實用新型專利 80 項、外觀設計 1 項；其他國 家或地區 17 項，包含中國臺灣地區的發明專利 14 項和美國的發明專利 3 項；國內外和其他地區發明專利合計 86 項。

募資10億元，加碼高階半導體裝置

拓荊科技本次募投專案主要是高階半導體裝置擴產專案、先進半導體裝置的技術研發與改進專案、ALD裝置研發與產業化專案和補充流動資金。

高階半導體裝置擴產專案將在公司現有的半導體薄膜裝置研發和生產基地基礎上進行二期潔淨廠房建設、配套設施及生產自動化管理系統建設。二期潔淨廠房建設主要為千級潔淨廠房，設計規模為2，600平方米左右。

先進半導體裝置的技術研發與改進專案研發內容主要包括面向28nm-10nm製程PECVD裝置的多種工藝型號開發、面向10nm以下製程PECVD裝置的平臺架構研發及UVCure系統裝置研發。基於公司已研發的面向28nm-10nm製程的PECVD裝置平臺架構，開展主要包括LokⅡ、ADCⅠ、HTACHM、高應力SiN及α-Si等不同薄膜材料的新工藝型號開發，形成先進工藝技術能力和量產能力；基於公司PECVD裝置技術積累，開展應用於10nm以下技術節點的PECVD裝置平臺架構研發，先行完成SiO2、SiN等薄膜材料的工藝型號開發；基於公司對薄膜沉積裝置及多種薄膜材料工藝研發積累，開展沉積後輔助以紫外線處理的UVCure系統裝置研發。透過在積體電路生產廠商進行生產線驗證，實現產品的產業化，進一步提升產品技術水平和拓展產品應用領域，推動公司業務規模的持續增長。

ALD裝置研發與產業化專案擬在上海臨港新片區購置整體廠房，進行裝修改造，購置研發裝置及生產裝置，建設新的研發及生產環境，專案實施主體為公司全資子公司拓荊上海。專案建成後，將作為發行人ALD產品研發及產業化基地。專案擬透過開展系列技術研發，基於公司現有ALD裝置技術基礎，開發面向28nm-10nm製程的ALD裝置平臺架構，發展多種工藝機型，同步開發不同腔室數量的機臺型號，滿足邏輯晶片、儲存晶片製造不同的工藝需求，並進行規模化量產。

關於未來的發展戰略，拓荊科技表示，公司自設立以來，以“建立世界領先的薄膜裝置公司”為使命，專注於半導體薄膜沉積裝置的研發、生產和銷售領域，透過多年科研攻關和市場驗證，在PECVD、ALD和SACVD裝置領域推出了多款量產裝置，為下游積體電路製造及泛半導體領域內的客戶提供了優質的產品。公司未來將繼續致力於高階半導體裝置的研發生產，擴大現有裝置市場佔有率，提高公司裝置的技術先進性，豐富公司裝置種類，拓展技術應用領域，開發臺灣市場。（校對/GY）