文/科技芯邊事

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高校、中科院接連宣佈光刻機技術新進展，任正非三天四訪高校，華為高調牽手國產光源科技公司。種種跡象顯示，我們攻克光刻機卡脖子技術已經提上日程。

俗話說：“物極必反，否極泰來”，面對西方的科技圍堵和技術落後的殘酷現實，我國一線科技人員展現出了前所未有的凝聚力和攻堅克難的進取精神，正如任正非說的那樣，

公司內部鬆散、意志薄弱的時候，恰恰是外部壓力激發和鞏固了內部的團結。

這麼顯而易見的道理，卻有些人卻看不明白，但有部分商業大佬卻看明白了，前不久，在一次 中國科技發展論壇上，北京大學國家發展研究院名譽院長林毅夫稱，荷蘭ASML公司CEO擔心

如果不賣給中國光刻機技術，中國3年內將自己掌握這門技術並製造出成本更低的光刻機，ASML到時將被擠出市場。

荷蘭ASML公司CEO的擔憂並非杞人憂天，近日，北大院長高調宣佈：

3年攻克光刻機，15年完全掌握晶片技術。

大家想想，一個國內頂尖名校的院長如果不是掌握了充足的資訊，基本不太可能信口開河，不要說三年，就算五年攻克光刻機也不遲。

光刻機完全自主可控確實很難，此前甚至有工程院院士悲觀的表示，

光刻機是全球化技術的結晶，一個國家或者一個地區獨立製造光刻機是不現實的。

其他國家和地區可能不現實，放在我們中國可能就現實，過去我們把不現實變成現實的事還少嗎？

擒賊先擒王，找到技術的關鍵點“死磕”

攻克光刻機技術從哪裡入手呢？光源、鏡頭、光刻膠被稱為光刻機三大核心元件，其中光源系統是重中之重，

如果把光刻機比作醫生，光源就好比醫生手中的手術刀

。我們的技術突圍策略是優先解決主要矛盾。

光刻機分為紫外光源（UV）、深紫外光源（DUV）、極紫外光源（EUV）。最初為為汞燈產生的紫外光源（UV）。後來採用準分子鐳射的深紫外光源（DUV），將波長進一步縮小到ArF的193nm，第四代ArF加浸入技術的技術天花板限制在22nm，已經無法滿足後來的14/7/5/3/2Nm等更高製程的需求，於是極紫外光源（EUV）就出現了。

這一點華為很清楚，而且也在緊鑼密鼓地加快前進步伐，華為旗下的哈勃科技於6月2日入股了光刻機核心零部件企業北京科益虹源光電技術有限公司，

這家公司三大核心技術之一的光源系統，是國內第一、全球第三的193nm ArF準分子鐳射器企業，

根據相關報道，2018年科益虹源自主設計開發的國內首臺高能準分子鐳射器出貨，

打破了國外廠商的長期壟斷

。兩家公司戰略結合，意義非凡。

科研所、清華、北大輪流發力，強勢助力中國半導體科技突出

去年9月16日，中科院召開了釋出會，會上該院院長白春禮表示，將聚焦關鍵的核心技術，有效解決一批國外“卡脖子”問題，比如包括

航空輪胎、軸承鋼、光刻機在內的一些關鍵核心技術、關鍵原材料等，中科院都將集中全院的力量來做。

果然，彙集國內頂尖科研人員的中科院不負所望。

6月10日，中科院對外界公佈了一項實驗結果，已經在“快速光學鄰近效應修正技術”即“基於虛擬邊與雙取樣率畫素化掩摸圖形”獲得重大進展。中科院的光機所是研發出一種被稱之為OPC的技術，可以有效地增大工藝視窗，修正光刻機在工作時的誤差，透過這一項技術提高光刻的解析度，大大提升晶片良品率。

前不久，中國兩大高校也凱歌高奏。

先是，清華大學的研發團隊發明了一種名為“穩態微聚束”（SSMB）的加速器光源，這種新型加速器光源能夠實現大功率、高中頻以及窄頻寬輻射，它可以為光刻機的研發提供相關技術。

畢業於北京大學物理系陳創天博士，剛剛畢業的時候就立志為科學事業做出貢獻，於是便開始研究化學和晶體材料。

近日，有媒體爆出陳創天博士自主研發了鐳射技術，

這種晶體是能夠改變光波長，是由於其特性符合製造光刻機的需求，所以才被稱之為是光刻機的核心材料。

當下我們所使用的光科技波長能夠達到193奈米，而在kbbf晶體的幫助之下，其波長能夠縮短到176奈米。

現在看來，去年華為創始人任正非頻繁造訪高校，將基礎技術紮根高校太有前瞻性了，高校的研發推進速度確實比一般企業更高效。去年從7月29日至7月31日，3天時間裡，任正非在上海、南京接連訪問了四所名校，分別是上海交通大學、復旦大學、東南大學和南京大學，任總每次強調要

重視高校人才的培育，助力晶片自主、人工智慧產業壯大。

寫在最後

雖然目前中國半導體晶片被技術卡脖子，但是也催生了我國一批優秀科研型企業和高校的蓬勃發展，就像彈簧一樣太放鬆了是就失去了爆發的力道，此次國產科技公司的困境挑戰和機遇並存，對方再怎麼技術“刁難”都是殺敵一千，自損八百，不過大洋彼岸還是有明白人的。

前世界首富比爾蓋茨曾表示：

中美協作互惠互利，米國對華為的晶片斷供政策，不僅不會擊垮華為，反而會倒逼中國人獨自制造出高階晶片，最後受傷的還是自己。

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