這個GaN技術牛!8英寸、2DEG提升20%
即使採用廉價的矽襯底,該結構的2DEG依舊可以達到2110 cm2/V-s,相比矽基GaN提升了20%,很好地解決SiC基GaN成本高、矽基GaN效能差等問題,大幅降低GaN器件成本,從而有望加速5G通訊的普及...
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國產半導體彎道超車?第三代晶片效能超強,國產技術發展勢頭向好
而在第3代半導體的碳化矽領域,中國企業的發展勁頭明顯更強,不僅有很強的技術發展手段,還有配套的產業鏈設施,比如新能源汽車和高鐵等能夠廣泛運用碳化矽器件的領域都在中國發展飛速...
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山西省“十四五”新裝備規劃出爐:打造第三代半導體全產業鏈產業基地
依託太原、長治的軍工產業基礎,促進軍轉民技術應用示範,重點發展宇航用高可靠資訊處理及控制整合器件、高功率太赫茲器件、高效能輻照加固積體電路等裝備...
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